<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Термокомпенсовані джерела постійного струму для струмових ЦАП

Вантажиться...
Ескіз

Дата

Науковий керівник

Редактор

Інші учасники

Відповідальний

ORCID

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Альтернативна назва

Анотація

Джерела опорної напруги та опорного струму є невід'ємною частиною будь-яких електронних схем. Особливо важливу роль джерела опорної напруги та струму грають в аналогових схемах, від них залежать багато кількісних параметрів роботи схем. Наприклад в аналого-цифрових та цифро-аналогових перетворювачах значення повної шкали визначається опорним джерелом напруги. Сьогодні існує досить багато різноманітних підходів щодо побудови схем джерел постійного струму. Класичним варіантом побудови джерел опорної напруги є використання стабілітрону та ефектів зенеровського (тонельного) і лавинного пробоїв у ньому при зворотній напрузі зміщення. Зенеровский пробій відбувається за напруги менше п'яти вольт і має негативний температурний коефіцієнт, лавинний пробій відбувається при вищих напругах і має позитивний температурний коефіцієнт. За напруги пробою в діапазоні від п'яти до восьми вольт його сумарний позитивний ТКН дорівнює приблизно негативному ТКН діода, зміщеного в прямому напрямку. Джерела опорної напруги, визначаються напругою забороненої зони кремнію (бандгапи), забезпечують хороший ТКН при низьких напругах живлення. У схемі для досягнення термокомпенсації використовуються узгоджені транзистори з різницею в щільності струмів, що протікають через них. Метод формування опорної напруги забороненої зони привабливий для реалізації через порівняльну простоту, і низький рівень шумів. В статті запропоновано новий підхід до побудови термостабільних джерел опорного струму на основі біполярних транзисторів з використанням напруги забороненої зони напівпровідника та струмових дзеркал. В роботі здійснено схемотехнічний аналіз статичних характеристик запропонованих схем термокомпенсованих двополюсних джерел постійного струму кільцевого типу у заданому діапазоні температур та проаналізовані принципи завдяки яким досягається термокомпенсація. Здійснене комп’ютерне моделювання статичних характеристик вказаних генераторів опорного струму, таких як температурний дрейф струму, а також коефіцієнта стабілізації за зміни напруги живлення (навантажувальна здатність).

Опис

УДК

Тип документа

Мова

Посилання на публікацію

Серія, номер

ISBN

ББК

Інші ідентифікатори

Пов’язані матеріали

Спонсорська підтримка

Правовласник

Бібліографічний опис

Мельничук С. І. Термокомпенсовані джерела постійного струму для струмових ЦАП [Електронний ресурс] / С. І. Мельничук, М. Р. Обертюх, О. Г. Муращенко // Наукові праці ВНТУ. – 2023. – № 2. – Режим доступу: https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/689.

Схвалення

Рецензія

Доповнено

Цитується в

Список використаної літератури (7)

  1. Sze Simon M. Physics of Semiconductor Devices / Simon M. Sze. – Great Britain : Wiley, 2021. – 944 p.
  2. Alan B. Grebene Bipolar and MOS analog integrated circuit design / B. Alan. – New Jersey : John Wiley & Sons Technology & Industrial Arts, 2002. – 912 p.
  3. R. van der Plassche. CMOS integrated analog-to-digital and digital-to-analog converters. 2nd Edition / R. van der Plassche. – Dordrecht, The Netherlands : Kluwer Academic Publishers, 2003. – 588 p.
  4. Harrison L. T. Current Sources & Voltage References / L. T. Harrison. – Burlington, USA : Newnes, 2005. – 621 p.
  5. Азаров О. Д. Термокомпенсовані двополюсні джерела постійного струму кільцевого типу / О. Д. Азаров, В. А. Гарнага, М. Р. Обертюх // Вісник вінницького політехнічного інституту. – 2017. – № 1 (130). – С. 78 – 84.
  6. Азаров О. Д. Джерело опорної напруги на основі генератора термостабільного струму / О. Д. Азаров, В. А. Гарнага, М. Р. Обертюх // Інформаційні технології та комп’ютерна інженерія. – 2017. – № 1 (38). – С. 41 – 47.
  7. Lee T. C. The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits / T. C. Lee. – Cambridge University Press, 2004. – 797 p. – ISBN 9780521835398.