<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Зaсoби пoкpaщення відмoвoстійкoсті у нaпівпpoвідникoвій пaм’яті

Вантажиться...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

DOI

Анотація

Магістерська дипломна робота присвячена дослідженню засобів покращення завадостійкості напівпровідникових пристроїв пам’яті, методів та способів підвищення контролю напівпровідникових пристроїв пам’яті. Дані методи дозволяють виправляти помилки в напівпровідникових пристроях пам’яті за допомогою корегуючих кодів. В роботі проведено аналіз критеріїв коректувальної здатності лінійних блокових кодів. Показано, що для ітеративних детермінованих кодів мінімальна кодова відстань зростає зі збільшенням кількості ітерацій. Запропоновано спосіб підвищення коректувальної здатності на прикладі кода Елаєса.

Опис

Науковий кеpівник: канд. техн. наук, доцент Семеpенкo В. П.

УДК

Тип документа

Мова

Є частиною

ISSN

Бібліографічний опис

Зaсoби пoкpaщення відмoвoстійкoсті у нaпівпpoвідникoвій пaм’яті [Електронний ресурс] : [презентація] / викон. О. Ю. Вoйнaлoвич ; Вінницький національний технічний університет ; Факультет інформаційних технологій та комп’ютерної інженерії ; Кафедра обчислювальної техніки. – Електронні текстові дані (1 файл: 0,80 Мбайт). – Вінниця, 2019. – Назва з екрана.

Схвалення

Рецензія

Доповнено

Цитується в