Зaсoби пoкpaщення відмoвoстійкoсті у нaпівпpoвідникoвій пaм’яті
Вантажиться...
Дата
Автори
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Анотація
Магістерська дипломна робота присвячена дослідженню засобів покращення завадостійкості напівпровідникових пристроїв пам’яті, методів та способів підвищення контролю напівпровідникових пристроїв пам’яті. Дані методи дозволяють виправляти помилки в напівпровідникових пристроях пам’яті за допомогою корегуючих кодів. В роботі проведено аналіз критеріїв коректувальної здатності лінійних блокових кодів. Показано, що для ітеративних детермінованих кодів мінімальна кодова відстань зростає зі збільшенням кількості ітерацій. Запропоновано спосіб підвищення коректувальної здатності на прикладі кода Елаєса.
Опис
Науковий кеpівник: канд. техн. наук, доцент Семеpенкo В. П.
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
Є частиною
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Зaсoби пoкpaщення відмoвoстійкoсті у нaпівпpoвідникoвій пaм’яті [Електронний ресурс] : [презентація] / викон. О. Ю. Вoйнaлoвич ; Вінницький національний технічний університет ; Факультет інформаційних технологій та комп’ютерної інженерії ; Кафедра обчислювальної техніки. – Електронні текстові дані (1 файл: 0,80 Мбайт). – Вінниця, 2019. – Назва з екрана.