<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Принципи вимірювання відносної вологості газів атмосферного і пониженого тиску

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorСавицький, А. Ю.uk
dc.contributor.authorOsadchuk, V. S.
dc.contributor.authorOsadchuk, O. V.
dc.contributor.authorSavytskyi, A. Yu.
dc.titleПринципи вимірювання відносної вологості газів атмосферного і пониженого тискуuk
dc.title.alternativePrinciples of measuring relative humidity of gases at atmospheric and reduced pressureen
dc.date.issued2011-06
dc.publisherХмельницький національний університетuk
dc.identifier.citationОсадчук В. С. Принципи вимірювання відносної вологості газів атмосферного і пониженого тиску [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, А. Ю. Савицький // Вісник Хмельницького національного університету. Серія "Технчні науки". - 2011. - № 3. - С. 196-200.uk
dc.relation.ispartofseriesТехнічні наукиuk
dc.identifier.udc621.382
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8344
dc.description.abstractПроаналізовано класифікацію методів визначення вологості атмосферного повітря і технологічних газів, а також розглянуто типові конструкції сенсорів вологості газових середовищ, які працюють на основі описаних методів. Запропоновано конструкцію первинного перетворювача вологості на основі МДНструктури, в якій чутливим елементом виступає шар пористого окису кремнія.uk
dc.description.abstractThe methods of moisture definition in atmosphere air and technological gases are analyzed, the moisture sensors constructions, based on these methods are observed. The construction of the primary moisture­sensing element based on MDS­structure with film of porous silicone is suggesteden
dc.subjectгазuk
dc.subjectвологістьuk
dc.subjectтранзисторна структура з від'ємним опоромuk
dc.subjectтранзисторuk
dc.subjectвід'ємний опірuk
dc.subjectвимірюванняuk
dc.subjectокис кремніюuk
dc.subjectgasen
dc.subjecthumidityen
dc.subjecttransistor structure with negative resistanceen
dc.subjecttransistoren
dc.subjectnegative resistanceen
dc.subjectmeasurementen
dc.subjectsilicon oxideen
dc.typeArticle
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2016-02-17T11:09:32Z
dc.date.available2016-02-17T11:09:32Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
40osa.pdf
Розмір:
405,06 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Стаття
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
2,14 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІРТС