<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Підвищення ефективності передавача станції активних завад Л-203Б літака МіГ-29

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЖук, В. В.uk
dc.contributor.authorКорепанов, В. В.uk
dc.contributor.authorДігтярь, М. М.uk
dc.contributor.authorКозлова, А. Г.uk
dc.contributor.authorZhuk, V. V.en
dc.contributor.authorKorepanov, V. V.en
dc.contributor.authorKozlova, A. G.en
dc.titleПідвищення ефективності передавача станції активних завад Л-203Б літака МіГ-29uk
dc.date.issued2023
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.identifier.citationЖук В. В., Корепанов В. В., Дігтярь М. М., Козлова А. Г. Підвищення ефективності передавача станції активних завад Л-203Б літака МіГ-29 // Матеріали ІІІ Міжнародної науково-технічної інтернет-конференції «Актуальні проблеми бойового застосування та експлуатації і ремонту зразків озброєння та військової техніки», Вінниця, 15-16 листопада 2023 р. Електрон. текст. дані. 2023. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/apozbt/apozbt2023/paper/view/19294.uk
dc.relation.ispartofМатеріали ІІІ Міжнародної науково-технічної інтернет-конференції «Актуальні проблеми бойового застосування та експлуатації і ремонту зразків озброєння та військової техніки», Вінниця, 15-16 листопада 2023 р.uk
dc.relation.urihttps://conferences.vntu.edu.ua/index.php/apozbt/apozbt2023/paper/view/19294
dc.identifier.udc623.624
dc.identifier.urihttps://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/55649
dc.description.abstractВ даній тезі запропоновано один з варіантів підвищення ефективності систем радіоелектронної боротьби, а саме станції активних завад Л-203Б, що дозволить покращити технічні характеристики станції та в цілому вплине на якість роботи та експлуатацію виробу.uk
dc.description.abstractThis thesis proposes one of the options for increasing the effectiveness of electronic warfare systems, and the station of active radio-frequency interferences L-203B, which will allow improving the technical characteristics in the station and in general will affect the quality of work and operation of the product.en
dc.subjectрадіоелектронна боротьбаuk
dc.subjectстанція активних завадuk
dc.subjectлампа біжучої хвиліuk
dc.subjectтвердотільний підсилювачuk
dc.subjectGaN-технологіяuk
dc.subjectradioelectronic warfareen
dc.subjectstation of active radio-frequency interferencesen
dc.subjecttravelingwave tubeen
dc.subjectultra-high frequency solid state amplifieren
dc.subjectGaN-technologyen
dc.typeThesis
dc.language.isoukuk
dc.relation.referencesBelous, O.I. & Anatoliy, Kirilenko & Natarov, M. & Sirenko, Svitlana & Fisun, A. & Shubny, A.. (2018). Quasioptical millimeter wave solid-state generator. RADIOFIZIKA I ELEKTRONIKA. 23. 67-94. 10.15407/rej2018.04.067.en
dc.relation.referencesБондаренко І.М. Мікроелектроніка НВЧ. Ч.2. Напівпровідникові елементи та пристрої НВЧ: навч. посібник для студентів ЗВО. – Харків: ХНУРЕ, 2019. – 172 с.uk
dc.relation.referencesWaliwander T., Fehilly M., O'Brien E. An ultra-high efficiency high power Schottky varactor frequency doubler to 180–200 GHz //2016 Global Symposium on Millimeter Waves (GSMM) & ESA Workshop on Millimetre-Wave Technology and Applications. – IEEE, 2016. – С. 14.en
dc.relation.referencesRunton D. W. et al. History of GaN: High-power RF gallium nitride (GaN) from infancy to manufacturable process and beyond //IEEE Microwave Magazine. – 2013. – Т. 14. – №. 3. – С. 82-93.en
dc.relation.referencesWaltereit P. et al. GaNbased high voltage transistors for efficient power switching //physica status solidi c. – 2013. – Т. 10. – №. 5. – С. 831-834.en
dc.relation.referencesZhang B. et al. A novel 220-GHz GaN diode on-chip tripler with high driven power //IEEE Electron Device Letters. – 2019. – Т. 40. – №. 5. – С. 780-783.en
dc.relation.referencesLiang S. et al. A 177–183 GHz high-power GaN-based frequency doubler with over 200 mW output power //IEEE Electron Device Letters. – 2020. – Т. 41. – №. 5. – С. 669-672.en
dc.relation.referencesLiu H. et al. 120 GHz Frequency-Doubler Module Based on GaN Schottky Barrier Diode //Micromachines. – 2022. – Т. 13. – №. 8. – С. 1172.en
dc.relation.referencesSchuh P. et al. GaN-based amplifiers for wideband applications //International journal of microwave and wireless technologies. – 2010. – Т. 2. – №. 1. – С. 135-141.en
dc.date.accessioned2026-10-20T08:29:21Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
19294.pdf
Розмір:
384,89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Зібрання

Актуальні проблеми бойового застосування та експлуатації і ремонту зразків озброєння та військової техніки (2023)