Методи оптимізації напівпровідникової структури для однокристальних узагальнених перетворювачів імітансу

Abstract

Розроблено методи оптимізації багатоелектродної напівпровідникової структури, використовуваної як перетворювач імітансу; сформульована цільова функція оптимізації, розроблено критерії оптимізації та проведена порівняльна оцінка їх переваг і недоліків.

Разработаны методы оптимизации многоэлектродной полупроводниковой структуры, используемой как преобразователь иммитанса; сформулирована целевая функция оптимизации, разработаны критерии оптимизации и проведена сравнительная оценка их преимуществ и недостатков.

The methods of optimization of multielectrode semiconductor structure, in-use as a transformer of immittance is developed; the objective function of optimization is formulated, the criteria of optimization are developed and the comparative estimation of their advantages and failings is conducted.