<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію

dc.contributor.authorЖитарюк, В. Г.uk
dc.contributor.authorГодованюк, В. М.uk
dc.contributor.authorДокторович, І. В.uk
dc.date.accessioned2016-01-15T14:15:03Z
dc.date.available2016-01-15T14:15:03Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractInfluence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated.en
dc.identifier.citationЖитарюк, В. Г. Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію [Текст] / В. Г. Житарюк, В. М. Годованюк, І. В. Докторович // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2009. - № 1. - С. 137-140.uk
dc.identifier.issn2311-2662
dc.identifier.issn1681-7893
dc.identifier.udc621.317.799.2
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3482
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.relation.urihttp://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/92
dc.subjectфотоелектричний приймачuk
dc.subjectкремнійuk
dc.subjectпараметри поверхніuk
dc.subjectіонне травленняuk
dc.subjectоптичне випромінюванняuk
dc.titleФотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремніюuk
dc.typeArticle

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
92.pdf
Розмір:
336,35 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
132 B
Формат:
Plain Text
Опис: