Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Семенов, А. О. | uk |
| dc.contributor.author | Задорожний, В. К. | uk |
| dc.contributor.author | Osadchuk, O. V. | |
| dc.contributor.author | Semenov, A. O. | |
| dc.contributor.author | Zadorozhnyi, V. K. | |
| dc.title | Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання | uk |
| dc.title.alternative | Mathematical model of a microelectronic frequency sensor of optical radiation | en |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.publisher | Вінницький національний технічний університет | uk |
| dc.identifier.citation | Осадчук, О. В. Математична модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного випромінювання [Текст] / О. В. Осадчук, А. О. Семенов, В. К. Задорожний // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2009. - № 1. - С. 187-192. | uk |
| dc.relation.uri | http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/101 | |
| dc.identifier.issn | 2311-2662 | |
| dc.identifier.issn | 1681-7893 | |
| dc.identifier.udc | 621.317 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3467 | |
| dc.description.abstract | У роботі удосконалено математичну модель мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. Запропоновано нелінійну апроксимацію статичних характеристик транзисторної структури на основі НВЧ біполярного і польового транзисторів. Отримані співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронного частотного сенсора оптичного опромінення. | uk |
| dc.description.abstract | В работе усовершенствована математическая модель микроэлектронного частотного сенсора оптического излучения. Предложена нелинейная аппроксимация статических характеристик транзисторной структуры на основе СВЧ биполярного и полевого транзисторов. Получены соотношения для инженерного расчёта микроэлектронного частотного сенсора оптического излучения. | ru |
| dc.description.abstract | In this work the mathematical model of the frequency microwave sensor of optical radiation has been improved. The non-lineal approximation of static characteristics of the transistor structure, based on microwave field-effect and bipolar transistors, has been proposed. The equations for computation of the frequency microwave sensor of optical radiation have been obtained. | en |
| dc.subject | сенсор | uk |
| dc.subject | нелінійна апроксимація | uk |
| dc.subject | СВЧ биполярный и полевой транзисторы | uk |
| dc.subject | sensor | en |
| dc.subject | nonlinear approximation | en |
| dc.subject | microwave bipolar and field-effect transistors | en |
| dc.type | Article | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-01-15T14:14:11Z | |
| dc.date.available | 2016-01-15T14:14:11Z |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1