Дослідження перехідних характеристик транзистора МДН структури
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Анотація
Проведено аналіз експерементального дослідження перехідних характеристик двозатворного МДН транзистору. Побудовані графіки залежностей перехідних характеристик при різних видах керування переходами.
The analysis of the experimental study of transient characteristics of a two-gate MOS transistor is carried out. Constructed graphs of dependencies of transient characteristics for different types of transition control.
The analysis of the experimental study of transient characteristics of a two-gate MOS transistor is carried out. Constructed graphs of dependencies of transient characteristics for different types of transition control.
Опис
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Довгун В. О. Дослідження перехідних характеристик транзистора МДН структури [Електронний ресурс] / В. О. Довгун, В. С. Бєлов // Тези доповідей Всеукраїнської науково-практичної Інтернет-конференції студентів, аспірантів та молодих науковців «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи» (МН-2019), м. Вінниця, 11-30 травня 2019 р. – Електрон. текст. дані. – 2019. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2019/paper/view/6182.
Схвалення
Рецензія
Доповнено
Цитується в
Список використаної літератури (1)
- .. , ..