Тунельний ефект та його застосування в сучасній електроніці
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Анотація
The physical principles of quantum tunneling of electrons used in nanoelectronics are considered. The mathematical dependence of tunneling probability on the potential barrier parameters is analyzed, and the classification and examples of the phenomenon application in modern semiconductor devices are provided. The prospects of using the tunneling effect for further miniaturization of computing systems and the development of quantum technologies are described.
Опис
Ключові слова
Тип документа
Мова
ISSN
Бібліографічний опис
Котовський Р. Р. Тунельний ефект та його застосування в сучасній електроніці // Матеріали Міжнародної науково-практичної інтернет-конференції «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2026)», м. Вінниця, 22-26 червня 2026 р. Електрон. текст. дані. 2026. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2026/paper/view/29426.
Схвалення
Рецензія
Доповнено
Цитується в
Список використаної літератури (1)
- 6. Азаренков М. О., Неклюдов І. М., Воєводін В. М. Вступ до наноматеріалознавства та нанотехнологій. — Харків : ХНУ імені В. Н. Каразіна, 2019. — 312 с. Борисенко В. Є., Данилюк О. Л. Наноелектроніка : навч. посіб. — Київ : Вища школа, 2021. — 245 с. Seabaugh A. C., Zhang Q. Low-Voltage Tunnel Field-Effect Transistors // Proceedings of the IEEE. — 2010. — Vol. 98, No. 12. — P. 2095–2110. Ionescu A. M., Riel H. Tunnel field-effect transistors as energy-efficient electronic switches // Nature. — 2011. — Vol. 479. — P. 329–337. Коваль І. П., Мельник П. В. Фізичні основи мікро- та наноелектроніки : підручник. — Київ : ВПЦ "Київський университет", 2022. — 410 с. Lundstrom M. Fundamentals of Nanotransistors. Dynamic bucketing and quantum transport. — New Jersey : World Scientific Publishing, 2017. — 280 p.