Запам’ятовуючий пристрій на базі аморфних напівпровідників
| dc.contributor.author | Кичак, В. М. | uk |
| dc.contributor.author | Курилова, Н. Г. | uk |
| dc.contributor.author | Слободян, І. В. | uk |
| dc.contributor.author | Kychak, V. M. | en |
| dc.contributor.author | Kurilova, N. G. | en |
| dc.contributor.author | Slobodyan, I. V. | en |
| dc.date.accessioned | 2017-04-12T07:55:05Z | |
| dc.date.available | 2017-04-12T07:55:05Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.description.abstract | У даній праці пропонується використати комірку пам’яті на базі аморфного напівпровідника і транзистора, емітер якого також виготовлений із аморфного напівпровідника. Це підвищує радіаційну стійкість комірки пам’яті. Також це може дати можливість будувати матриці пам’яті для трійкової логіки. | uk |
| dc.description.abstract | In this science work is proposed to use the memory cell based on amorphous semiconductor and transistor, which has emitter is also made of amorphous semiconductor. This increases the radiation resistance of memory cell. It can also give the opportunity to build a matrix memory for ternary logic. | en |
| dc.identifier.citation | Кичак В. М. Запам’ятовуючий пристрій на базі аморфних напівпровідників [Текст] / В. М. Кичак, Н. Г. Курилова, І. В. Слободян // Тези доповідей другої Міжнародної науково-практичної конференції "Методи та засоби кодування, захисту й ущільнення інформації", м. Вінниця, 22-24 квітня 2009 р. - С. 172-173. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15209 | |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Вінницький національний технічний університет | uk |
| dc.relation.ispartof | Тези доповідей другої Міжнародної науково-практичної конференції "Методи та засоби кодування, захисту й ущільнення інформації", м. Вінниця, 22-24 квітня 2009 р. : 172-173. | uk |
| dc.subject | халькогенідний склоподібний напівпровідник | uk |
| dc.subject | запам’ятовуючий пристрій | uk |
| dc.subject | сhalcogenide glassy semiconductor | en |
| dc.subject | memory device | en |
| dc.title | Запам’ятовуючий пристрій на базі аморфних напівпровідників | uk |
| dc.title.alternative | Memory device based on chalcogenide glassy semiconductor | en |
| dc.type | Thesis |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- _3_Запам’ятовуючий пристрій на базі аморфних напівпровідників.pdf
- Розмір:
- 2,15 MB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 2,14 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: