Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance

Abstract

У статті проаналізовано сучасний стан розвитку температурних перетворювачів на основі піроелектриків, представлено та описано новий температурний перетворювач на основі транзисторної структури з від'ємним опором, змодельовано вольт-амперну та частотну характеристики цього пристрою в програмному середовищі Pspice.The paper analyses modern development status of temperature converter on the basis of piroelectrics, represents and describes a new temperature converter on the basis of transistor structure with negative resistance, simulates current-voltage and frequency characteristic of this device in the software environment Pspice.