<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance

Вантажиться...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

DOI

Анотація

The paper analyses modern development status of temperature converter on the basis of piroelectrics, represents and describes a new temperature converter on the basis of transistor structure with negative resistance, simulates current-voltage and frequency characteristic of this device in the software environment Pspice.

Опис

УДК

Тип документа

Мова

ISSN

Бібліографічний опис

Osadchuk O. V. Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance [Text] / O. V. Osadchuk, S. V. Baraban, B. V. Basich // Матеріали VI міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)", м. Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. - Вінниця, ВНТУ, 2017. - С. 147-148.

Схвалення

Рецензія

Доповнено

Цитується в