Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance
Вантажиться...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Анотація
The paper analyses modern development status of temperature converter on the basis of piroelectrics, represents and describes a new temperature converter on the basis of transistor structure with negative resistance, simulates current-voltage and frequency characteristic of this device in the software environment Pspice.
Опис
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Бібліографічний опис
Osadchuk O. V. Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance [Text] / O. V. Osadchuk, S. V. Baraban, B. V. Basich // Матеріали VI міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)", м. Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. - Вінниця, ВНТУ, 2017. - С. 147-148.