<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Автогенераторний перетворювач оптичного випромінювання для ІоТ систем

dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorОсадчук, Я. О.uk
dc.contributor.authorШикун, К. В.uk
dc.contributor.authorOsadchuk, O. V.en
dc.contributor.authorOsadchuk, I. O.en
dc.contributor.authorShykun, K. V.en
dc.titleАвтогенераторний перетворювач оптичного випромінювання для ІоТ системuk
dc.date.issued2026
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.identifier.citationОсадчук О. В., Осадчук Я. О., Шикун К. В. Автогенераторний перетворювач оптичного випромінювання для ІоТ систем // Матеріали LV Всеукраїнської науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 24-27 березня 2026 р. Електрон. текст. дані. 2026. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2026/paper/view/27680.uk
dc.relation.ispartofМатеріали LV Всеукраїнської науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 24-27 березня 2026 р.uk
dc.relation.urihttps://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2026/paper/view/27680
dc.identifier.udc621.382
dc.identifier.urihttps://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/54686
dc.description.abstractВ роботі представлено дослідження автогенераторного перетворювача оптичного випромінювання на основі транзисторної структури з від’ємним диференціальним опором, що дозволяє значно зменшити апаратні затрати в комп’ютерних та інформаційно-вимірювальних системах. Розроблено математичну модель опису роботи перетворювача, яка побудована на принципі перетворення енергії оптичного випромінювання в енергію змінного електричного поля на виході перетворювача, що дозволяє отримати параметричну залежність вихідної частоти перетворювача від параметрів чутливого елементу і параметрів автогенератора. чутливість розробленого автогенераторного перетворювача на основі фоточутливого МДН транзистора складає від 194 кГц/мкВт/см2 до 215,2 кГц/мкВт/см2 в діапазоні оптичної потужності 0 мкВт/см2 до 90 мкВт/см2.uk
dc.description.abstractThe paper presents a study of a self-oscillating optical radiation converter based on a transistor structure with negative differential resistance, which allows to significantly reduce hardware costs in computer and information and measuring systems. A mathematical model for describing the operation of the converter has been developed, which is based on the principle of converting optical radiation energy into the energy of an alternating electric field at the converter output, which allows to obtain a parametric dependence of the converter output frequency on the parameters of the sensitive element and the parameters of the self-oscillating converter. The sensitivity of the developed self-oscillating converter based on a photosensitive MOSFET transistor is from 194 kHz/μW/cm2 to 215.2 kHz/μW/cm2 in the optical power range of 0 μW/cm2 to 90 μW/cm2.en
dc.subjectавтогенераторний перетворювач оптичного випромінюванняuk
dc.subjectчастотаuk
dc.subjectМДН фоточутливийелементuk
dc.subjectфункція перетворенняuk
dc.subjectрівняння чутливостіuk
dc.subjectself-oscillating converter of optical radiationen
dc.subjectfrequencyen
dc.subjectMOSFET photosensitive elementen
dc.subjectconversionfunctionen
dc.subjectsensitivity equationen
dc.typeThesis
dc.language.isoukuk
dc.relation.referencesLiu C-H, Lin S-D. N-Channel MOSFET Reliability Issue Induced by Visible/Near-Infrared Photons in Image Sensors. Sensors. 2023; 23(23):9586. https://doi.org/10.3390/s23239586en
dc.relation.referencesJeong U-H, Park J-H, Choi J-H, Lee W-G, Park J-G. Hybrid Organic–Si C-MOSFET Image Sensor Designed with Blue-, Green-, and Red-Sensitive Organic Photodiodes on Si C-MOSFET-Based Photo Signal Sensor Circuit. Nanomaterials. 2024; 14(13):1066. https://doi.org/10.3390/nano14131066en
dc.relation.referencesO.V. Osadchuk, I.O. Osadchuk, A.O. Semenov, “The Mathematical Model of Radio-measuring Frequency Transducer of Optical Radiation Based on MOS Transistor Structures with Negative Differential Resistance”, Journal of Nano- and Electronic Physics. Scientific journal. Vol. 13 No 4, 04001(6 pp). 2021.en
dc.relation.referencesA.V. Osadchuk, V.S. Osadchuk, I.A. Osadchuk, O.O. Seletska, Piotr Kisaa, and Karlygash Nurseitova, “Theory of photoreactive effect in bipolar and MOSFET transistors”, Proc. SPIE 11176, Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High-Energy Physics Experiments, 111761I, pp.1-12. 2019.en
dc.date.accessioned2026-09-24T08:54:10Z
dc.date.available2026-09-24T08:54:10Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
27680.pdf
Розмір:
344,17 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
17 B
Формат:
Plain Text
Опис: