Деформаційні ефекти у напівпровідникових структурах

Abstract

В статті розглянуто вплив деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Показано, що при малих тисках зміна параметрів напівпровідника відбувається за рахунок зміни рухливості носіїв заряду, а при високих тисках – зміна ширини забороненої зони. Представлено розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних і неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.