Експериментальне дослідження оптико-частотних сенсорів температури

Abstract

Розроблено математичну модель сенсора температури на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від’ємним опором. Отримано аналітичний вираз для повного опору та теоретичні залежності реактивної та активної складових повного комплексного опору температурних сенсорів на основі цих структур. Проведено експериментальне дослідження основних характеристик сенсорів температури.

Разработана математическая модель сенсора температуры на основе реактивных свойств транзисторных структур с отрицательным сопротивлением. Получено аналитическое выражение для полного сопротивления и теоретические зависимости реактивной и активной составляющих полного комплексного сопротивления температурных сенсоров на основе этих структур. Проведено экспериментальное исследование основных характеристик сенсоров температуры.

Mathematical model of temperature sensor is developed on the basis of reactive properties of transistor structures with negative resistance. Analytical expression for impedance and theoretical dependences of reactive and active constituents of complex impedance of temperature touch-controls on the basis of these structures are got. Experimental study of basic descriptions of temperature sensor is undertaken.