<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Дослідження повного опору магніточутливого тиристора

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorМартинюк, В. В.uk
dc.contributor.authorСтовбчата, О. П.uk
dc.contributor.authorOsadchuk, V. S.
dc.contributor.authorOsadchuk, O. V.
dc.contributor.authorMartyniuk, V. V.
dc.contributor.authorStovbchata, O. P.
dc.titleДослідження повного опору магніточутливого тиристораuk
dc.title.alternativeStudy of the impedance of a magnetosensitive thyristoren
dc.date.issued2011-02
dc.publisherХмельницький національний університетuk
dc.identifier.citationДослідження повного опору магніточутливого тиристора [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, В. В. Мартинюк, О. П. Стовбчата // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2011. - № 1. - С. 107-110.uk
dc.identifier.issn2219-9365
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8227
dc.description.abstractРозроблено математичну модель магніточутливого тиристора, що дає змогу розрахувати зміну повного опору при дії магнітного поля. Магнітотиристор подано у вигляді еквівалентної схеми, яка складається з двох магнітотранзисторів. На основі аналітичних виразів для параметрів магнітотранзисторів отримано графічні залежності активної та реактивної складових повного опору магнітотиристора, які підтверджуються експериментальними даними.uk
dc.description.abstractA mathematical model magnetosensitive thyristor had designed. It allows to calculate the change in impedance when exposed to a magnetic field. Magnitotiristor represented as an equivalent circuit consisting of two magnetotransistor. On the basis of analytical expressions for the parameters oen
dc.subjectтиристорuk
dc.subjectмагнітне полеuk
dc.subjectперетворювач магнітного поляuk
dc.subjectтранзисторна структура з від'ємним опоромuk
dc.subjectвід'ємний опірuk
dc.subjectелемент Холлаuk
dc.subjectthyristoren
dc.subjectmagnetic fielden
dc.subjectmagnetic field transduceren
dc.subjecttransistor structure with negative resistanceen
dc.subjectnegative resistanceen
dc.subjectHall elementen
dc.typeArticle
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2016-02-15T13:27:35Z
dc.date.available2016-02-15T13:27:35Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
24osa.pdf
Розмір:
451,11 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Стаття
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
2,14 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІРТС