Исследование влияния ионного облучения на параметры чувствительных элементов частотных магнитных преобразователей
Вантажиться...
Дата
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Анотація
В статье показаны исследования влияния ионного облу-чения на параметры чувствительных элементов частотных магнит-ных преобразователей на основе МДП транзисторной структуры с отрицательным сопротивлением.
Опис
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Бібліографічний опис
Исследование влияния ионного облучения на параметры чувствительных элементов частотных магнитных преобразователей [Текст] / В. Г. Вербицкий, В. С. Осадчук, А. В. Осадчук, В. В. Мартынюк // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2001. - № 2. - С.102-109.