<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Тунельно-резонансні діоди і прилади на їх основі

Вантажиться...
Ескіз

Дата

Автори

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

DOI

Анотація

The paper is devoted to the analysis of tunneling resonant diodes, which are considered as promising elements in modern electronics. The study describes in detail the physical principles of operation of these devices, their structure and main characteristics. Particular emphasis is placed on the use of tunneling resonant diodes in high-frequency circuits, digital devices, as well as in the development of new types of sensors and measuring equipment. The advantages and disadvantages of tunnel resonant diodes in comparison with traditional semiconductor devices are analyzed.

Опис

УДК

Тип документа

Мова

ISSN

Бібліографічний опис

Пінаєв Б. О., Івасько Е. В. Тунельно-резонансні діоди і прилади на їх основі // Матеріали LIV Всеукраїнської науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 24-27 березня 2025 р. Електрон. текст. дані. 2025. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2025/paper/view/23510.

Схвалення

Рецензія

Доповнено

Цитується в

Список використаної літератури (3)

  1. Resonant Tunneling Diodes [Електронний ресурс] // ScienceDirect. – Режим доступу: https://www.sciencedirect.com/topics/physics-and-astronomy/resonant-tunneling-diodes. – Дата звернення: 27.11.2024.
  2. University Physics, 3rd Edition [Електронний ресурс] // VAIA. – Режим доступу: https://www.vaia.com/en-us/textbooks/physics/university-physics-3-edition/. – Дата звернення: 27.11.2024.
  3. Tunneling Diodes: Bridging the Gap in Electronics [Електронний ресурс]. – Режим доступу: https://fastercapital.com/content/Tunneling-Diodes--Bridging-the-Gap-in-Electronics.html. – Назва з екрана. – Дата звернення: 27.11.2024.