Застосування халькогенідних сплавів системи Ge2 Sb2 Te5 для побудови елементів цифрової пам’яті на основі фазових переходів
| dc.contributor.author | Слободян, І. В. | uk |
| dc.contributor.author | Боржемський, С. Ю. | uk |
| dc.date.accessioned | 2018-05-25T11:31:20Z | |
| dc.date.available | 2018-05-25T11:31:20Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.description.abstract | Creating digital-based non-volatile memory (PCM - Phase Change Memory), based on elements of chalcogenide glass, which uses the principle of reverse phase transition "amorphous-crystalline" state, is a priority in the field of microtechnology. In the thin nanoscale films of the CGS, due to the electric pulse, local structural transformations take place. | en |
| dc.identifier.citation | Слободян І. В. Застосування халькогенідних сплавів системи Ge2 Sb2 Te5 для побудови елементів цифрової пам’яті на основі фазових переходів [Електронний ресурс] / І. В. Слободян, С. Ю. Боржемський // Матеріали XLVII науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 14-23 березня 2018 р. – Електрон. текст. дані. – 2018. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2018/paper/view/4955. | uk |
| dc.identifier.udc | 621.397 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/20931 | |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Вінницький національний технічний університет | uk |
| dc.relation.ispartof | Матеріали XLVII науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 14-23 березня 2018 р. | uk |
| dc.relation.uri | https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2018/paper/view/4955 | |
| dc.subject | digital memory | en |
| dc.subject | chalcogenide glassy semiconductor (CGS) | en |
| dc.subject | chemical composition | en |
| dc.title | Застосування халькогенідних сплавів системи Ge2 Sb2 Te5 для побудови елементів цифрової пам’яті на основі фазових переходів | uk |
| dc.type | Thesis |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1