Моделирование частотного преобразователя оптического излучения с активным индуктивным элементом

Abstract

Полевые фототранзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) нашли широкое использование в системах приема и обработки оптической информации [1,2]. В настоящее время разработанная теория фотополевого эффекта в МДП транзисторах, которая достаточно точно описывает статические характеристики таких приборов [3,4].