<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Short – range order of AgGaS2(Se2) amorphous compounds and epitaxially film growth on their base with superstructural cells

Вантажиться...
Ескіз

Дата

Науковий керівник

Редактор

Інші учасники

Відповідальний

ORCID

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

DOI

Альтернативна назва

Короткий - діапазон порядку AgGaS2 (Se2) аморфних з'єднання і епітаксіального зростання плівок на їх основі з надбудовних клітинами

Анотація

The short-range order parameters of AgGaS2(Se2) thin amorphous films have been investigated. The interatomic distances and numbers of the nearest neighbors have been determined from the atom radial distribution curves. It is shown, that the matrices of amorphous films consists from tetrahedral and octahedron surroundings of atoms. The opportunity of existence of super structural phase of AgGaS2 is established and the oriental parities existing between epitaxially accruing layers of a film and a substrate.
Параметри ближнього порядку з AgGaS2 (Se2) тонких аморфних плівок були досліджені. Міжатомні відстані і числа найближчих сусідів були визначені з атома кривих радіального розподілу. Показано, що матриці аморфних плівок складаються з тетраедричних і октаедричних оточення атомів. Можливість існування супер структурних фаз AgGaS2 створений і східних співвідношення, існуючі між епітаксійними нарахуваннями шарів плівки і підкладкою.

Опис

Ключові слова

УДК

Тип документа

Мова

Є частиною

Посилання на публікацію

Серія, номер

ISBN

ББК

Інші ідентифікатори

Пов’язані матеріали

Спонсорська підтримка

Правовласник

Бібліографічний опис

Short – range order of AgGaS2(Se2) amorphous compounds and epitaxially film growth on their base with superstructural cells [Text] / F. D. Kasimov, A. CH. Mamedova, E. E. Alakbarova, D.I. Ismailov // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2008. - № 1. - С. 119-122.

Схвалення

Рецензія

Доповнено

Цитується в