Optimization of two-layer resists for laser lithography on substrates required for wide application in microwave sensor technology

Abstract

Повідомляємо про оптимізацію лазерної літографії на різних підкладках, актуальних для надвисокочастотних експериментів на кристалі. Метою є виготовлення мікроструктурованих фотопровідних перемикачів для транспортних експериментів із субпікосекундним часовим розділенням. Використано двошарові резистивні системи для оптимального «ліфт-офф» оброблення тонких металевих і напівпровідникових плівок. Двошаровий резист складається з LOR 3B як нижнього шару та ma-P 1205 як верхнього шару. Підкладки — сапфір, i-GaAs, i-Si, SiO2 на i-Si та SiO2 на легованому p-Si. Цільовими параметрами оптимізації є доза експонування та шорсткість країв мікроструктурованих елементів. Остання важлива для отримання широкосмугових смугових ліній, мікросмугових ліній або копланарних хвилеводів.

We report on the optimization of laser lithography on various substrates relevant for ultra-high frequency on-chip experiments. We`re aiming at fabricating microstructured photoconductive switches for transport experiments with subpicosecond time resolution. Double layer resist systems for optimal lift-off processing of metal and semiconductor thin films are used. The double layer consist of LOR 3B as under layer and ma-P 1205 as top layer. Substrates are sapphire, i-GaAs, i-Si, SiO2 on i-Si, and SiO2 on p-doped Si. The target parameters for the optimization are the exposure dose and the edge roughness of microstructured elements. The latter is important to obtain high bandwidth striplines, microstrips, or coplanar waveguides.