Математична модель імпульсного нейроелемента на біспін-приладі

Abstract

В статті розроблено математичну модель нейроелемента на біспін-приладі, яка, по-перше, дозволяє визначати не тільки частоту вихідних імпульсів, а і допустимий діапазон оптичних потужностей вхідних сигналів, а, по-друге, встановлює залежність не від зовнішніх (експлуатаційних) параметрів біспін-приладу, а від внутрішніх (технологічних) параметрів біспін-структури. Це дуже важливо при інтегральній реалізації масиву штучних нейронів, де на етапі проектування та виготовлення необхідно знати потрібні технологічні параметри напівпровідникових структур для досягнення заданих параметрів штучних нейронів.