<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Шумова модель польових транзисторів для прогнозування їх надійності за рівнем низькочастотного шуму

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКичак, В. М.uk
dc.contributor.authorМихалевський, Д. В.uk
dc.contributor.authorКрупський, О. В.uk
dc.contributor.authorKychak, V. M.
dc.contributor.authorMykhalevskiy, D. V.
dc.contributor.authorKrupskyi, O. V.
dc.titleШумова модель польових транзисторів для прогнозування їх надійності за рівнем низькочастотного шумуuk
dc.title.alternativeNoise model of field-effect transistors for predicting their reliability by low-frequency noise levelen
dc.date.issued2009
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.identifier.citationКичак В. М. Шумова модель польових транзисторів для прогнозування їх надійності за рівнем низькочастотного шуму [Електронний ресурс] / В. М. Кичак, Д. В. Михалевський, О. В. Крупський // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2009. - № 4. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/176.uk
dc.relation.urihttp://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/176
dc.identifier.issn2307-5376
dc.identifier.udc621.315.592
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4452
dc.description.abstractУ статті проаналізовано внутрішні шуми польових транзисторів, а також запропоновано шумову модель із врахуванням елементів схеми вмикання. Проведено дослідження залежності шумової напруги польового транзистора від режиму роботи та визначено області допустимих значень шумової напруги, в межах якої польовий транзистор є надійним.uk
dc.subjectпрогнозування надійностіuk
dc.subjectпольовий транзисторuk
dc.subjectсередньоквадратична шумованапругаuk
dc.subjectнизькочастотний шум (НЧ)uk
dc.subjectвироби електронної технікиuk
dc.subjectreliability forecastingen
dc.subjectfield-effect transistoren
dc.subjectroot-mean-square noise voltageen
dc.subjectlow-frequency noise (LF)en
dc.subjectelectronic productsen
dc.typeArticle
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2016-01-19T14:48:10Z
dc.date.available2016-01-19T14:48:10Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
175.pdf
Розмір:
232,67 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
132 B
Формат:
Plain Text
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові праці ВНТУ. 2009. № 4
Наукові видання каф. ІКСТ