<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Аналіз характеристик активних індукторів від базової реалізації до індуктора Ліанга

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСеменов, А. О.uk
dc.contributor.authorХльоба, А. А.uk
dc.contributor.authorSemenov, A. O.en
dc.contributor.authorKhloba, A. A.en
dc.date.accessioned2025-10-10T07:54:35Z
dc.date.available2025-10-10T07:54:35Z
dc.date.issued2025
dc.description.abstractУ роботі наведено огляд існуючих досліджень щодо реалізації активної індуктивності на МОНтранзисторах, яку можна використовувати у генераторах керованих напругою (ГКН) замість спіральних або зовнішніх пасивних елементів які займають значну площу. Послідовний розвиток індукторів і порівняння їх характеристик дозволяє виявити кращого існуючого кандидата на даний час для реалізації ГКН.uk
dc.description.abstractThe paper provides an overview of existing studies on the implementation of active inductance on MOSFETs, which can be used in voltage-controlled oscillators (VCO) instead of spiral or external passive elements that occupy a significant area. Consistent development of inductors and comparison of their characteristics allows us to identify the best existing candidate for the realization of VCO.en
dc.identifier.citationСеменов А. О., Хльоба А. А. Аналіз характеристик активних індукторів від базової реалізації до індуктора Ліанга // Матеріали LIV Всеукраїнської науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 24-27 березня 2025 р. Електрон. текст. дані. 2025. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2025/paper/view/23863.uk
dc.identifier.isbn978-617-8132-48-8
dc.identifier.udc621.373.52
dc.identifier.urihttps://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/49715
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВінницький національний технічний університетuk
dc.relation.ispartofМатеріали LIV Всеукраїнської науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 24-27 березня 2025 р.uk
dc.relation.referencesAstro B.R. A PVT Compensated Active Inductor Based VCO on SOI CMOS Technology. National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics, Tonantzintla, 2011, 123 p.en
dc.relation.referencesYuan F. CMOS Active Inductors and Transformers. Boston, MA : Springer US, 2008. DOI: https://doi.org/10.1007/978-0-387-76479-5.en
dc.relation.referencesComparative analysis and simulation of active inductors for RF applications in 90 nm CMOS / O. Faruqe et al. 2017 3rd International Conference on Electrical Information and Communication Technology (EICT), Khulna, 79 December 2017. 2017. DOI: https://doi.org/10.1109/eict.2017.8275233.en
dc.relation.referencesDhuri R.S. Design of CMOS Active Inductors and their use in tuned narrowband and widebandextension Low Noise Amplifier. Final Year Project. Escola Tcnica Superior dEnginyeria Industrial de Barcelona, 2014. 81 p.en
dc.relation.referencesWideband CMOS analog cells for video and wireless communications / K. Manetakis et al. Third International Conference on Electronics, Circuits, and Systems, Rodos, Greece. DOI: https://doi.org/10.1109/icecs.1996.582784.en
dc.relation.referencesLiang K. H. CMOS RF Band-Pass Filter Design Using the High Quality Active Inductor. IEICE Transactions on Electronics. 2005. E88-C, no. 12. P. 23722376. DOI: https://doi.org/10.1093/ietele/e88-c.12.2372.en
dc.relation.referencesFaruqe O., Amin M. T. Active Inductor with Feedback Resistor Based Voltage Controlled Oscillator Design for Wireless Applications. International Journal of Electronics and Telecommunications. 2023. URL: https://doi.org/10.24425/ijet.2019.126283en
dc.relation.referencesСеменов А.О., Хльоба А.А. Генератор керований напругою на основі активного індуктора Ліанга. IX Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2023), 2023. URL: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/spirn/spirn2023/paper/view/19190.uk
dc.relation.urihttps://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2025/paper/view/23863
dc.subjectактивна індуктивністьuk
dc.subjectіндукторuk
dc.subjectгіраторuk
dc.subjectМОН-транзисторuk
dc.subjectГКНuk
dc.subjectЛін-Пейнuk
dc.subjectВенг-Куоuk
dc.subjectТаначинонт-Пейнuk
dc.subjectЙодпрасіт-Нгармнілuk
dc.subjectМанетакісuk
dc.subjectЛіангuk
dc.subjectactive inductanceen
dc.subjectinductoren
dc.subjectgyratoren
dc.subjectMOSFETen
dc.subjectVCOen
dc.subjectLin-Payneen
dc.subjectWeng-Kuoen
dc.subjectThanachayanont-Payneen
dc.subjectYodprasit-Ngarmnilen
dc.subjectManetakisen
dc.subjectLiangen
dc.titleАналіз характеристик активних індукторів від базової реалізації до індуктора Ліангаuk
dc.typeThesis

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
23863.pdf
Розмір:
900,28 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
17 B
Формат:
Plain Text
Опис:
Завантажити

Зібрання

НТКП ВНТУ. Факультет інформаційних електронних систем (2025)