Джерела опорного струму з високою термостабільністю для струмових цап

Abstract

Запропоновано новий підхід до побудови термостабільних джерел опорного струму на основі біполярних транзисторів з використанням напруги забороненої зони напівпровідника та струмових дзеркал. Здійснено схемотехнічний аналіз статичних характеристик запропонованих схем термокомпенсованих двополюсних джерел постійного струму кільцевого типу у заданому діапазоні температур та проаналізовані принципи завдяки яким досягається термокомпенсація. Здійснене комп’ютерне моделювання статичних характеристик вказаних генераторів опорного струму, таких як температурний дрейф струму, а також коефіцієнта стабілізації при зміненні напруги живлення (навантажувальна здатность).

Proposes a new approach to the construction of thermally stable reference current sources based on bipolar transistors using the semiconductor bandgap voltage and current mirrors. A circuit analysis of the static characteristics of the proposed circuits of thermally compensated two-pole direct current sources of ring type in a given temperature range is carried out and the principles by which thermal compensation is achieved are analyzed. A computer simulation of the static characteristics of these reference current generators, such as the temperature drift of the current, as well as the stabilization coefficient with a change in the supply voltage (load capacity), has been carried out.