Оцінювання параметрів перемикання комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників

Abstract

Розглянуто питання обчислення та якісного оцінювання часу затримки перемикання комірки пам’яті на базі аморфного напівпровідника від температури та концентрації пасток захоплення. На основі отриманих формул побудовано та проаналізовано графіки залежності часу затримки від температури для різних значень іонізаційного бар’єру та графіки залежності часу затримки від концентрації пасток захоплення для різних значень рухливості дірок.

Рассмотрены вопросы вычисления и качественной оценки времени задержки переключения ячей-ки памяти на базе аморфного полупроводника от температуры и концентрации ловушек захвата. На основе полученных формул построены и проанализированы графики зависимости времени задержки от температуры для различных значений ионизационного барьера и графики зависимости времени задержки от концентрации ловушек захвата для различных значений подвижности дырок.

The problems of calculating and qualitative assessment of switch delay time of memory cell based on amorphous semiconductor depended on temperature and traps capture concentration are discussed. Based on the obtained formulas the graphs of delay time on temperature for different values of the ionization threshold and graphs of the delay time on the traps capture concentration for different values of hole mobility are constructed and analyzed.