<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Theory of photoreactive effect in bipolar and MOSFET transistors

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorOsadchuk, A. V.en
dc.contributor.authorOsadchuk, V. S.en
dc.contributor.authorOsadchuk, I. A.en
dc.contributor.authorSeletska, O. O.en
dc.contributor.authorKisała, P.en
dc.contributor.authorNurseitova, K.en
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorОсадчук, Я. О.uk
dc.contributor.authorСелецька, О. О.uk
dc.titleTheory of photoreactive effect in bipolar and MOSFET transistorsen
dc.date.issued2019
dc.publisherSociety of Photo-Optical Instrumentation Engineersen
dc.identifier.citationTheory of photoreactive effect in bipolar and MOSFET transistors [Electronic resource] / A. V. Osadchuk, V. S. Osadchuk, I. A. Osadchuk [et al.] // Proc. SPIE Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High Energy Physics Experiments 2019, Vol. 11176, № 111761I. – 6 November 2019. – Poland, 2019. – Access mode: https://doi.org/10.1117/12.2538264.en
dc.identifier.citationOsadchuk A. V., Osadchuk V. S., Osadchuk I. A., Seletska O. O., Kisała P., Nurseitova K. Theory of photoreactive effect in bipolar and MOSFET transistors. Proc. SPIE Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High Energy Physics Experiments 2019, Vol. 11176, № 111761I. 6 November 2019. Poland, 2019. URI: https://doi.org/10.1117/12.2538264.en
dc.relation.ispartofProc. SPIE Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High Energy Physics Experiments 2019, Vol. 11176, № 111761I, 6 November 2019.en
dc.relation.urihttps://doi.org/10.1117/12.2538264
dc.identifier.doi10.1117/12.2538264
dc.identifier.issn0277-786X
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/34018
dc.description.abstractУ роботі розглянуто основи теорії фотореактивного ефекту в біполярних і польових транзисторних структурах. Фотореактивні властивості напівпровідникових приладів широко використовуються в різноманітних радіоелектронних пристроях. Тому вивчення цих явищ у біполярних транзисторних структурах з від'ємним опором дає змогу створювати нові сенсорні пристрої, що мають кращі параметри, ніж наявні. Запропоновано метод побудови радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів на основі фотореактивного ефекту в чутливих біполярних і польових транзисторних структурах, який створив передумови для втілення перетворювачів оптичного випромінювання з частотним вихідним сигналом.uk
dc.description.abstractThe paper deals with the fundamentals of the theory of photoreactive effect in bipolar and field-effect transistor structures. Photoreactive properties of semiconductor devices are widely used in a variety of radio electronics devices. Therefore, the study of these phenomena in bipolar transistor structures with negative resistance, allows us to create new sensory devices, which have better parameters than existing ones. The method of construction of radiomeasuring microelectronic transducers is offered on the base of photoreactive effect in sensing bipolar and field transistor structures, that has established premises for embodying transducers of optical radiation with a frequency output signal.en
dc.subjectphotoreactive effecten
dc.subjectradiomeasuring microelectronic transducersen
dc.subjectfrequency optical transduceren
dc.subjectnegative differential resistanceen
dc.subjectфотореактивний ефектuk
dc.subjectрадіовимірювальні мікроелектронні перетворювачіuk
dc.subjectчастотний оптичний перетворювачuk
dc.subjectвід’ємний диференційний опірuk
dc.typeArticle
dc.language.isoenen
dc.date.accessioned2021-11-15T11:08:49Z
dc.date.available2021-11-15T11:08:49Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
89369.pdf
Розмір:
433,75 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
129 B
Формат:
Plain Text
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові видання каф. ІРТС