Транзистори

Abstract

В навчальному посібнику розглянуто фізичні процеси, які протікають в біполярних і польових транзисторах. Визначені вольт-амперні характеристики в статичному і динамічному режимах, параметри приладів, їх залежність від режимів живлення. Проаналізовано частотні й імпульсні характеристики транзисторів, представлено моделі та еквівалентні схеми. Показано вплив високого рівня інжекції на повний опір базової області біполярних транзисторів. Розглянуто конструкції і принципи роботи діодних і тріодних тиристорів, фізичну природу обмежувальних ефектів, способи вмикання і вимикання, визначена максимальна робоча частота. Значна увага приділена розгляду роботи і конструкціям потужних біполярних і польових транзисторів, їх геометрії, технологічним аспектам виготовлення МДН-транзисторів. Успіхи вертикальної і горизонтальної технології виготовлення напівпровідникових структур відкрили широкі можливості створення нових твердотілих НВЧ приладів таких як транзистори з металічною базою, статичні індукційні транзистори, транзистори з об’ємним потенційним бар’єром, монолітні транзистори на гарячих електронах. Розглянуто перспективи використання багатошарових гетероструктур в електроніці. Навчальний посібник містить лабораторний практикум, який дозволить студентам краще засвоїти викладений в лекціях матеріал.