Транзистори

Abstract

В навчальному посібнику розглянуто фізичні процеси, які проті- кають в біполярних і польових транзисторах. Визначені вольт- амперні характеристики в статичному і динамічному режимах, пара- метри приладів, їх залежність від режимів живлення. Проаналізовано частотні й імпульсні характеристики транзисторів, представлено мо- делі та еквівалентні схеми. Показано вплив високого рівня інжекції на повний опір базової області біполярних транзисторів. Розглянуто конструкції і принципи роботи діодних і тріодних тиристорів, фізич- ну природу обмежувальних ефектів, способи вмикання і вимикання, визначена максимальна робоча частота. Значна увага приділена роз- гляду роботи і конструкціям потужних біполярних і польових тран- зисторів, їх геометрії, технологічним аспектам виготовлення МДН- транзисторів. Успіхи вертикальної і горизонтальної технології виго- товлення напівпровідникових структур відкрили широкі можливості створення нових твердотілих НВЧ приладів таких як транзистори з металічною базою, статичні індукційні транзистори, транзистори з об’ємним потенційним бар’єром, монолітні транзистори на гарячих електронах. Розглянуто перспективи використання багатошарових гетероструктур в електроніці. Навчальний посібник містить лабора- торний практикум, який дозволить студентам краще засвоїти викла- дений в лекціях матеріал.