Індуктивний ефект в напівпровідникових транзисторах
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Анотація
The process of occurrence of inductive effect in semiconductor devices, in particular, in bipolar transistors, is analyzed. Simple mathematical models of inductance equivalents based on transistor bipolar structures are presented and the possibility of laboratory research of such transistors is analyzed.
Опис
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
ISSN
Бібліографічний опис
Подобєдов, М. О. Індуктивний ефект в напівпровідникових транзисторах [Електронний ресурс] / М. О. Подобєдов, Ю. С. Кравченко // Матеріали XLVIII науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 13-15 березня 2019 р. – Електрон. текст. дані. – 2019. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2019/paper/view/7553.
Схвалення
Рецензія
Доповнено
Цитується в
Список використаної літератури (3)
- Левин С. Основы полупроводниковой микроэлектроники / С.Левин. – М.: Сов.радио, 1966 – 243с.
- Осадчук В.С. Индуктивный эффект в полупроводниковых приборах/ В. С. Осадчук –К.: Высшая школа, 1987, -155 с.
- Осадчук В.С. Напівпровідникові перетворювачі інформації / В. С. Осадчук, O. В. Осадчук. –Вінниця: ВНТУ, 2004. – 208 с.