Спосіб плазмохімічної обробки матеріалів

Abstract

Спосіб плазмохімічної обробки матеріалів полягає у травленні напівпровідникових пластин, що проводять в циліндричному реакторі, в якому плазму ВЧ-розряду збуджують при пониженому тиску плазмоутворюючого газу шляхом створення в реакторі високочастотного електричного поля напруженістю Е, яке зумовлює появу хімічно активних частинок плазми концентрацією N, пластини розташовують у спеціальних касетах на відстані h одна від одної. Крім того, відстань h між пластинами визначають пропорційно зміні співвідношення E/N.

Способ плазмохимической обработки материалов состоит в травлении полупроводниковых пластин, которые проводят в цилиндрическом реакторе, в котором плазму ВЧ-разряда возбуждают при пониженном давлении плазмообразующего газа путем образования в реакторе высокочастотного электрического поля напряженностью Е, которое обуславливает появление химически активных частиц плазмы с концентрацией N, пластины располагают в специальных кассетах на расстоянием h между одна от другой. Расстояние определяют пропорционально смене соотношения E/N.

A method for treatment of plasmochemical metal material consists in etching semi-conductive plates made in a cylindrical reactor, wherein plasma of high-frequency discharge is excited at low pressure of plasma-supporting gas by means of formation in reactor of high-frequency field with E intensity that cause appearance of plasma chemically active particles having N concentration. Plates are arranged in special plate holders at a distance h one from another. Moreover, the h distance is determined proportional to change of the ratio E/N.