<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Дослідження фотореактивного ефекту в біполярних транзисторах

dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.titleДослідження фотореактивного ефекту в біполярних транзисторахuk
dc.date.issued2001
dc.publisherВінницький державний технічний університетuk
dc.identifier.citationОсадчук О. В. Дослідження фотореактивного ефекту в біполярних транзисторах [Текст] / О. В. Осадчук // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2001. - № 3. - С. 95-104.uk
dc.relation.ispartofВісник Вінницького політехнічного інституту. № 3 : 95-104.uk
dc.identifier.udc621.307
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14853
dc.description.abstractФотореактивні властивості напівпровідникових приладів знайшли широке використан- ня в різноманітних пристроях радіоелектроніки [1,2], тому дослідження цих явищ в біпо лярних транзисторних структурах разом з використанням їх від’ємного опору дозволяє створити нові сенсорні прилади, які мають кращі параметри ніж існуючі [3-5].uk
dc.subjectвід'ємний опірuk
dc.subjectтранзисторна структура з від'ємним опоромuk
dc.subjectфотореактивний ефектuk
dc.subjectчастотний перетворювачuk
dc.subjectчастотаuk
dc.typeArticle
dc.language.isoukuk
dc.date.accessioned2017-03-19T15:21:15Z
dc.date.available2017-03-19T15:21:15Z

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
ST34_r.pdf
Розмір:
314,69 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Стаття

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
2,14 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: