Напівпровідниковий сенсор вологості

Abstract

Напівпровідниковий сенсор вологості містить два вологочутливі двозатворні польові транзистори, витоки яких з'єднано між собою, джерело постійної напруги, перший, другий і третій резистори, ємність й індуктивність. Введено друге джерело постійної напруги, перший полюс якого через перший резистор підключено до другого затвора першого вологочутливого двозатворного польового транзистора.Полупроводниковый сенсор влажности содержит два влагочувствительных двухзатворных полевых транзистора, истоки которых соединены между собой, источник постоянного напряжения, первый, второй и третий резисторы, емкость и индуктивность. Введен второй источник постоянного напряжения, первый полюс которого через первый резистор подключен к второму затвору первого влагочувствительного двухзатворного полевого транзистора.A semiconductor humidity sensor includes two moisture-sensitive two-gate field transistors sources of which are connected to each other, source of direct voltage, the first, second and third resistors, capacitor and inductivity coil. A second source of direct voltage is included, with the first pole of that through the first resistor connected to the second gate of the first moisture-sensitive two-gate field transistor.