Мікроелектронний детектор швидких нейтронів

Abstract

Мікроелектронний детектор швидких нейтронів містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор, джерело постійної напруги. В нього введені чутливий до радіації нейтронів другий польовий транзистор, резистор, індуктивність, ємність і друге джерело постійної напруги.

Предлагаемый микроэлектронный детектор быстрых нейтронов содержит полевой транзистор, чувствительный к нейтронному излучению, источник электропитания и, дополнительно, второй полевой транзистор, чувствительный к нейтронному излучению, резистор, элемент с индуктивным сопротивлением, конденсатор и дополнительный источник электропитания.

The proposed microelectronic fast neutron detector contains a field-effect transistor that is sensitive to neutron radiation, a power-supply source, and additionally, the second field-effect transistor that is sensitive to neutron radiation, a resistor, an inductance element, a capacitor, and an additional power-supply source.