<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Исследование транзисторной структуры с отрицательным сопротивлением

Вантажиться...
Ескіз

Дата

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

DOI

Анотація

Полупроводниковые структуры с трицательным сопротивлением, в частности лямбда структуры, нашли широкое использование в качестве переключающих, генераторных, логических, пороговых устройств [1-3].

Опис

УДК

Тип документа

Мова

ISSN

Бібліографічний опис

Осадчук А. В. Исследование транзисторной структуры с отрицательным сопротивлением [Текст] / А. В. Осадчук // International Conference Materials "ELECTRONICS ‘ 98". - Kaunas : Technologija, 1998. - С. 15-20.

Схвалення

Рецензія

Доповнено

Цитується в