Інтеграція аморфних напівпровідників у складні високочастотні телекомунікаційні схеми
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Анотація
Amorphous semiconductors have emerged as promising materials for next-generation high-frequency telecommunication circuits due to their low-cost fabrication, large-area processability, and compatibility with flexible substrates.
Опис
Ключові слова
Тип документа
Мова
ISSN
Бібліографічний опис
Барабан І. О. Інтеграція аморфних напівпровідників у складні високочастотні телекомунікаційні схеми // Матеріали Міжнародної науково-практичної інтернет-конференції «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2026)», м. Вінниця, 22-26 червня 2026 р. Електрон. текст. дані. 2026. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2026/paper/view/27378.
Схвалення
Рецензія
Доповнено
Цитується в
Список використаної літератури (6)
- Liu A., Kim Y.-S., Kim M. G. et al. Selenium-alloyed tellurium oxide for amorphous p-channel transistors // Nature. – 2024.
- Sturm J. C., Huang Y., Han L. et al. Amorphous silicon: The other silicon // Proceedings of the 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS 2011). – 2011.
- Hu Q., Zhu S., Zhu Y. et al. Amorphous indium tin oxide transistors for power amplification above 10 GHz // Nature Electronics. – 2025. 4. Liu X., Wan D., Wu Y. et al. Transparent megahertz circuits from solution-processed composite thin films // Nanoscale. – 2016.
- Su L.-Y., Huang J. Demonstration of radio-frequency response of amorphous IGZO thin film transistors on the glass substrate // Solid-State Electronics. – 2015.
- Lee C.-G., Joshi T., Divakar K., Dodabalapur A. Circuit applications based on solution-processed zinctin oxide TFTs // Device Research Conference (DRC): Conference Digest. – 2011.
- Cha S.-K., Im S., Kim Y.-S. et al. Density-dependent microstructures and electromechanical properties of amorphous InGaZnO semiconductors: An ab initio study // ACS Applied Electronic Materials. – 2022.