Підготовка процесу відновлення трихлорсилану воднем

Abstract

Оцінені енергетичні та електричні параметри попереднього нагрівання кремнієвих прутків-підкладок задля генерації носіїв заряду і забезпечення необхідної провідності кремнію при виробництві високочистого полікристалічного кремнію. Обґрунтована доцільність використання легованих кремнієвих прутків-підкладок для виробництва полікристалічного кремнію із заданим рівнем концентрації легувальної домішки з метою підвищення продуктивності виробництва та зниження собівартості полікристалічного кремнію.Оценены энергетические и электрические параметры предварительного нагревания кремниевых прутков-подкладок для генерации носителей заряда и обеспечения необходимой проводимости кремния при производстве высокочистого поликристаллического кремния. Обоснована целесообразность использования легированных кремниевых прутков-подкладок для производства поликристаллического кремния с заданным уровнем концентрации легирующей примеси с целью повышения производительности производства и снижения себестоимости поликристаллического кремния.The results of theoretical studies on the pre-heated rod-substrates to generate their own carriers and provide the necessary conductivity of silicon in the production of high-purity polycrystalline silicon are suggested in the paper. The usage of alloy rod-substrates for the production of polycrystalline silicon with the given level of concentration of the dopant is considered.