Структурний синтез логічних елементів з функціональним надлишком та вимоги до показників їх надійності

Abstract

Розглянуто питання структурного синтеза транзисторно-транзисторних елементів з функціональним надлишком. Запропоновано проводити структурний синтез ЛЕ з ФН в два етапи: на першому етапі створювати проміжний логічний елемент з ФН за допомогою метода нарощування функцій, а на другому етапі зробити перетворення проміжного ЛЕ в ЛЕ з ФН з потрібними логічними функціями на виходах за допомогою методів логічного синтезу та нарощування функцій. Для збільшення часу затримки, запропоновано в схему логічного елемента АБО-НІ/АБО-НІ із затримкою, додатково ввести резистори, які регулюють струми баз транзисторів, що дозволяє збільшити час вмикання та вимикання цих транзисторів. На відміну від відомих логічних схем, схеми на ЛЕ з ФН мають рівномірну затримку розповсюдження сигналів по всім виходам, меншу кількість з’єднань та логічних елементів, що підвищує надійність побудованих схем. Отримано вирази, які вказують на вимоги до коефіцієнта підвищення надійності, та обмеження на значення інтенсивності раптових відмов ЛЕ з ФН, якщо відомі кількості корпусів мікросхем звичайних ЛЕ та ЛЕ з ФН, та інтенсивності раптових відмов звичайних ЛЕ.