Математична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторах

Abstract

В статті розглянута математична модель фотореактивного ефекту у структурі метал-діелектрик-напівпровідник, яка описує залежність повного опору каналу структури від частоти сигналу і потужності оптичного випромінювання. Показано, що характер опору каналу змінюється від ємнісного до індуктивного в залежності від потужності випромінювання. Експериментальні дослідження підтвердили справедливість теоре-тичних розрахунків у межах 5%.