Фізико-математичне моделювання та розрахунок критичних параметрів технологічних етапів формування наночипів
Вантажиться...
Файли
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Анотація
The physical model of the sequence of technological processes for the creation of semiconductor nanochips has been expanded. Mathematical models and analytical calculations are presented for key stages: the rate of crystal growth by the Czochralski method, oxidation kinetics using the Deal-Grove model, optical limitations of EUV lithography, impurity distribution profile during ion implantation, and calculation of the Equivalent Oxide Thickness (EOT) for
Опис
Ключові слова
Тип документа
Мова
ISSN
Бібліографічний опис
Бандуш С. В., Мартинюк В. В. Фізико-математичне моделювання та розрахунок критичних параметрів технологічних етапів формування наночипів // Матеріали Міжнародної науково-практичної інтернет-конференції «Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2026)», м. Вінниця, 22-26 червня 2026 р. Електрон. текст. дані. 2026. URI: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/mn/mn2026/paper/view/29201.
Схвалення
Рецензія
Доповнено
Цитується в
Список використаної літератури (1)
- 4. Sze S. M., Ng K. K. Physics of Semiconductor Devices. – Wiley, 2006. – https://onlinelibrary.wiley.com/doi/book/10.1002/0470068329 Bhosale P. P. Advanced Photolithography: Techniques and Applications. – Springer, 2023. – https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-031-25014-9 Kuo P. S. The Future of Nanoelectronics: Beyond CMOS. – Nature, 2021. – https://www.nature.com/articles/s41586-021-03352-x Deal B. E., Grove A. S. General Relationship for the Thermal Oxidation of Silicon. – Journal of Applied Physics. – https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.1713945