Метод контролю структурних перетворень аморфних напівпровідників на основі розрахунку пікових значень ДТА

Abstract

У роботі удосконалено математичну модель термодинамічного процесу в аморфних напівпровідниках,яка відрізняється від існуючих тим, що адекватно описує усі види піків теплових ефектів при зміні температури нагрівання некристалічних напівпровідників. Порівнянням результатів моделювання з відомими емпіричними залежностями доведено, що відносна похибка моделі не перевищує 5%. Пропонується використовувати даний розрахунок пікових значень при контролі структурних перетворень аморфних напівпровідників.

In this work a mathematical model of the thermodynamic process in uncrystalline semiconductors has been improved; it differs from already existing ones by adequate description of all the types of thermal effect peaks when uncrystalline semiconductors heating temperature changes. The model’s relative error has been proved not to exceed 5% after having compared the simulation results and known empirical relationships. It is proposed to use this maximum peak calculation when controlling an uncrystalline semiconductors structural transformation.