Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі

Abstract

Гігрометричний сенсор на польовому транзисторі складається з чутливого елемента та приєднаного до нього польового транзистора, що складається з напівпровідникової підкладки, яка містить область витоку і область стоку, а також провідні електродні плівки та ізолюючий плівковий затвор, до протилежної поверхні чутливого елемента приєднаний керувальний електрод. Польовий транзистор виготовлений за двозатворною схемою. Додатково він містить додатковий ізолюючий плівковий затвор, яким польовий транзистор приєднаний до додаткового чутливого елемента, а також суміщену стоково-витокову провідну плівку, через яку електрично приєднано першу стокову і другу витокову області польового транзистора.Гигрометрический сенсор на полевом транзисторе состоит из чувствительного элемента и присоединенного к нему полевого транзистора, который состоит из полупроводниковой подкладки, которая содержит область истока и область стока, а также проводящие электродные пленки и изолирующий пленочный затвор, к противоположной поверхности чувствительного элемента присоединен управляющий электрод. Полевой транзистор изготовлен по двухзатворной схеме. Он содержит дополнительный изолирующий пленочный затвор, которым полевой транзистор присоединен к дополнительному чувствительному элементу, а также совмещенную стоково-истоковую проводящую пленку, через которую электрически присоединена первая стоковая и вторая истоковая области полевого транзистора.Hygrometric sensor on field transistor consists of sensitive element and field transistor connected to it, this consists of semiconductor pad that includes area of source and area of sink, and conductive electrode films and insulation film gate, to opposite surface of sensitive element control electrode is connected. Field transistor is arranged by two-gate layout. Additionally it has additional insulating film gate with which field transistor is connected to additional sensitive element, and brought to coincidence sink-source conductive film through which first sink and second source areas of field transistor are electrically connected.