Radiomeasuring transducer of the pressure on the basis of reactive properties of transistor structure with negative resistance
Вантажиться...
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Анотація
Показано можливість безпосереднього перетворення тиску на частоту на основі гібридної інтегральної схеми, що складається з двоколекторного тензочутливого транзистора та польового двозатворного транзистора з активним індуктивним елементом на основі біполярного транзистора з фазоповоротним RC-ланцюгом. Отримано аналітичні залежності функції перетворення та рівняння чутливості. Теоретичні й експериментальні дослідження показали, що чутливість перетворювача становить 1,55–1,10 кГц/кПа.
The opportunity of direct transformation of pressure in frequency is shown on the basis of the hybrid integrated circuit consisting of the two-collector tenzosensitive transistor and the field two-gate transistor with an active inductive element on the basis of the bipolar transistor with a phase-shifting RC chain. Analytical dependencies of transformation function and the equation of sensitivity are received. Theoretical and experimental researches have shown, that sensitivity of the transducer makes 1,55-1,10 kHz /kPa.
The opportunity of direct transformation of pressure in frequency is shown on the basis of the hybrid integrated circuit consisting of the two-collector tenzosensitive transistor and the field two-gate transistor with an active inductive element on the basis of the bipolar transistor with a phase-shifting RC chain. Analytical dependencies of transformation function and the equation of sensitivity are received. Theoretical and experimental researches have shown, that sensitivity of the transducer makes 1,55-1,10 kHz /kPa.
Опис
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
Є частиною
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Osadchuk A. V. Radiomeasuring Transducer of the Pressure on the Basis of Reactive Properties of Transistor Structure with Negative Resistance [Electronic resource] / A. V. Osadchuk, I. A. Osadchuk // Proceedings of the International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Russia, Omsk, May 21−23, 2015. – Omsk : Siberian Federal University. 2015. - Access mode : http://ieeexplore.ieee.org/document/7147168/.