Контроль напівпровідникових пристроїв пам’яті за допомогою циклічних кодів

Abstract

Розглянуто типи дефектів і моделі помилок в пристроях динамічної напівпровідникової памяті з позицій завадостійкого кодування. Проведено аналіз використання завадостійких кодів для різних типів помилок: випадкових, пакетів помилок і байтових помилок. Запропоновано використання циклічних кодів для контролю напівпровідникової пам’яті.

The types of failures and models of errors in dynamic semiconductor memory (DRAM) from point of view of the error correcting coding are considered. The analysis of using of error correcting codes is carried for the different types of errors: random errors, bursts errors and byte errors. Cyclic codes for check of DRAM are suggected.