Показати скорочену інформацію

Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах

dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorОсадчук, Я. О.uk
dc.date.accessioned2017-01-14T20:17:57Z
dc.date.available2017-01-14T20:17:57Z
dc.date.issued2013
dc.identifier.citationОсадчук О. В. Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О. Осадчук // Науковий вісник КУЕІТУ. - 2013. - № 3-4. - С. 64-72.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/13629
dc.description.abstractThe paper presents a mathematical model of deformation effects in MOS transistor that is used as an element in tenzosensitive of pressure transducer with a frequency output . On the basis of a mathematical model designed dependence of the threshold voltage, saturation voltage, gate-source voltage of the pressure action. Most dependence of these parameters on the pressure observed at work MOS transistor in saturation at high pressures greater than 108 Pa.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherКременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управлінняuk
dc.subjectdeformation effecten
dc.subjectfrequensy sensoren
dc.subjecttensor sensible elementen
dc.titleТеоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурахuk
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.382


Файли в цьому документі

Thumbnail
Ім'я:
NewTech_2013_3-4_12.pdf
Розмір:
136.8Kb
Формат:
PDF
Опис:
Стаття
Відкрити

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію