Сенсор магнітного поля на основі двоколекторного магнітотранзистора

Abstract

У даній роботі представлені дослідження частотного сенсора магнітного поля на основі двоколекторного магніточутливого біполярного транзистора і двозатворного польового транзистора. Отримані аналітичні залежності функції перетворення і рівняння чутливості. Теоретичні і експериментальні дослідження показали, що чутливість розробленого частотного сенсора магнітного поля складає 100-200 Гц/мТ.