| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, Я. О. | uk |
| dc.date.accessioned | 2017-01-24T19:24:07Z | |
| dc.date.available | 2017-01-24T19:24:07Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.identifier.citation | Осадчук О. В. Деформаційні ефекти у напівпровідникових структурах [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О. Осадчук // Вісник Хмельницького національного університету. Серія "Технічні науки". - 2014. - № 2. - С. 146-150. | uk |
| dc.identifier.issn | 2307-5732 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/13699 | |
| dc.description.abstract | В статті розглянуто вплив деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Показано, що при малих тисках зміна параметрів напівпровідника відбувається за рахунок зміни рухливості носіїв заряду, а при високих тисках – зміна ширини забороненої зони. Представлено розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних і неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Хмельницький національний університет | uk |
| dc.relation.ispartofseries | Технічні науки | uk |
| dc.subject | від'ємний опір | uk |
| dc.subject | частотний перетворювач | uk |
| dc.subject | транзисторна структура з відємним опором | uk |
| dc.subject | деформаційний ефект | uk |
| dc.subject | напівпровідникові структури | uk |
| dc.subject | тиск | uk |
| dc.title | Деформаційні ефекти у напівпровідникових структурах | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.382.8 | |
