Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.contributor.authorОсадчук, Я. О.uk
dc.contributor.authorПавлик, Б. В.uk
dc.contributor.authorКравчук, Н. С.uk
dc.date.accessioned2017-01-30T17:43:20Z
dc.date.available2017-01-30T17:43:20Z
dc.date.issued2014
dc.identifier.citationМоделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температури [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О. Осадчук,Б. В. Павлик, Н. С. Кравчук // Вімірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. - 2014. - № 1. - С. 60-65.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/13759
dc.description.abstractВ роботі представлено математичні модемі впливу температури на імпеданс ділянки "витік-стік" двозатворного МДН транзистора. В моделях враховуються поверхневі стани та реактивні властивості зазначених структур. Проведено аналіз фізичних процесів на поверхні та в об'ємі ка на лу двозатворного МДН транзистора, отримано функціональні залежності імпедансу реактивного МДН транзистора від температури навколишнього середовища в широкій смузі частот для різних зміщень на затворах.uk
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherХмельницький національний університетuk
dc.relation.ispartofВімірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. 1 : 60-65.uk
dc.subjectімпедансuk
dc.subjectтемператураuk
dc.subjectвід'ємний опірuk
dc.subjectвимірюванняuk
dc.subjectчутливістьuk
dc.titleМоделювання імпедансу ділянки "витік-стік" двозатворного МДН-транзистора при дії температуриuk
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.38


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію