| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, Я. О. | uk |
| dc.date.accessioned | 2017-01-30T17:52:47Z | |
| dc.date.available | 2017-01-30T17:52:47Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.identifier.citation | Осадчук О. В. Фізичний механізм дії тиску на напівпровідники [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О. Осадчук // Materialy III mezinarodni vedecko-prakticka konference "Vznik moderni vedecke - 2012", 27.09.2012 -05.10.2012. - Praha : Publishing House «Education and Science» s.r.o., 2012. - Dfl 18 :Technicke vedy Modern! informacm technologie. - S. 70-79. | cs |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/13762 | |
| dc.description.abstract | При великих тисках відбувається розщеплення зон,
перерозподіл між екстремумами носіїв заряду. В цьому випадку головним фактором,
який змінює параметри напівпровідника, є деформаційна зміна ширини
забороненої зони. Якщо тиски малі, значний внесок у зміну струму, який проходить
через напівпровідник, вносить зміна ефективних мас, часу життя і
рухливості носіїв заряду від тиску. Іноді вагомий внесок може давати зміщення
домішкових рівнів під дією тиску, якщо рекомбінація і генерація носіїв заряду
на цих рівнях або тунелювання через них суттєво впливають на струм. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | «Education and Science» s.r.o. | en |
| dc.relation.ispartof | Materialy III mezinarodni vedecko-prakticka konference "Vznik moderni vedecke - 2012", 27.09.2012 -05.10.2012 : Dfl 18. 70-79. | cs |
| dc.subject | сенсор | uk |
| dc.subject | перетворювач тиску | uk |
| dc.subject | вимірювання | uk |
| dc.subject | чутливість | uk |
| dc.title | Фізичний механізм дії тиску на напівпровідники | uk |
| dc.type | Thesis | |
