| dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk, ru |
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Кравченко, Ю. С. | uk, ru |
| dc.contributor.author | Селецька, О. О. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, А. В. | ru |
| dc.contributor.author | Селецкая, Е. А. | ru |
| dc.contributor.author | Seletska, O. O. | en |
| dc.contributor.author | Osadchuk, V. S. | en |
| dc.contributor.author | Osadchuk, O. V. | en |
| dc.contributor.author | Kravchenko, Yu. S. | en |
| dc.date.accessioned | 2017-02-10T06:56:18Z | |
| dc.date.available | 2017-02-10T06:56:18Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.identifier.citation | Частотний оптичний перетворювач для контролю плазмохімічних процесів [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Ю. С. Кравченко, О. О. Селецька // Вісник Хмельницького національного університету.Серія "Техніні науки". - № 4. - 2008. - С. 160-163. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/13980 | |
| dc.description.abstract | Експериментально досліджено можливість використання частотного оптичного перетворювача на
основі біполярного та польового транзисторів в системі контролю процесу зняття фоторезисту.
Дослідження проводились на установці плазмохімічної та іонно-хімічної обробки 08ПХО-125/50-08 (тиск в
системі становив 20 Па, потужність – 900 Вт, товщина фоторезисту – 1,5 мкм). | uk |
| dc.description.abstract | Экспериментально исследована возможность использования частотного оптического преобразователя на
основе биполярного и полевого транзисторов в системе контроля процесса снятия фоторезиста.
Исследования проводились на установке плазмохимической и ионно-химической обработки 08ПХО-125 / 50-08 (давление в
системе составлял 20 Па, мощность - 900 Вт, толщина фоторезиста - 1,5 мкм). | ru |
| dc.description.abstract | Experimentally investigated the use of frequency optical converter
based bipolar transistors and field control system in the process of removing photoresist.
Research conducted at the facility for ion-plasma chemical and chemical processing 08PHO-125 / 50-08 (pressure
the system was 20 Pa, power - 900 watts, photoresist thickness - 1.5 mm). | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Хмельницький національний університет | uk |
| dc.relation.ispartof | Вісник Хмельницького національного університету. № 4: 160-163. | uk |
| dc.relation.ispartofseries | Технічні науки | uk |
| dc.subject | оптичний перетворювач | uk |
| dc.subject | біполярний транзистор | uk |
| dc.subject | польовий транзистор | uk |
| dc.subject | плазмохімічне травлення | uk |
| dc.subject | оптический преобразователь | ru |
| dc.subject | биполярный транзистор | ru |
| dc.subject | полевой транзистор | ru |
| dc.subject | плазмохимическое травление | ru |
| dc.subject | optical transducer | en |
| dc.subject | bipolar transistor | en |
| dc.subject | mosfet transistor | en |
| dc.subject | plasma chemical etching | en |
| dc.title | Частотний оптичний перетворювач для контролю плазмохімічних процесів | uk |
| dc.title.alternative | Частотный оптический преобразователь для контроля плазмохимических процессов | ru |
| dc.title.alternative | Frequency optical converter to monitor plasma-chemical processes | en |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.3.049 | |
