Мікроелектронний пристрій для контролю параметрів оптично прозорих напівпровідників

Abstract

Мікроелектроний пристрій для контролю параметрів оптично прозорих напівпровідників містить джерело світла, фокусуючу систему, джерело живлення, систему контактів, мікроелектронний частотний перетворювач, дільник напруги, польовий та біполярний транзистори, індуктивність, ємність, резистор, джерела постійної напруги, затвор польового транзистора, вихідні клеми, емітер біполярного транзистора, колектор, резистор, загальну шину, блок обробки та індикації сигналу, призму, дзеркало, фокусуючі лінзи, блок позиціонування, блок керування.Микроэлектронное устройство для контроля параметров оптически прозрачных полупроводников содержит источник света, фокусирующую систему, источник питания, систему контактов, микроэлектронный частотный преобразователь, делитель напряжения, полевой и биполярный транзисторы, индуктивность, емкость, резистор, источники постоянного напряжения, затвор полевого транзистора, выходные клеммы, эмиттер биполярного транзистора, коллектор, резистор, общую шину, блок обработки и индикации сигнала, призму, зеркало, фокусирующие линзы, блок позиционирования, блок управления.A microelectronic device for control of optically transparent semiconductors parameters contains the source of light, a focusing system, a power supply source, a system of contacts, microelectronic frequency transformer, a voltage divider, field-effect and bipolar transistors, an inductance, a capacity, a resistor, DC sources, a gate of the field-effect transistor, output terminals, an emitter of BPT, a collector, a resistor, a utility bus, a unit for signal processing and indication, a prism, a mirror, focusing lenses, a position unit, a control unit.